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STGB30H60DFB 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

IGBT-沟槽型场截止-600V-60A-260W-表面贴装型-D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGB30H60DFB 数据手册 (21 页)

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STGB30H60DFB 数据手册 (21 页)

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STGB30H60DFB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

260 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

53 ns

额定功率(Max)

260 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

260000 mW

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STGB30H60DFB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STGB30H60DFB 符合标准

STGB30H60DFB 海关信息

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