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STGW19NC60WD
1.905
STGW19NC60WD 数据手册 (15 页)
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STGW19NC60WD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
125 W
上升时间
7 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
31 ns
额定功率(Max)
125 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
125 W

STGW19NC60WD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
高度
20.15 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STGW19NC60WD 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.3 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.29 MByte

STGW19NC60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STGW19NC60HD 系列 42 A 600 V 极快速 IGBT 带超快恢复二极管 - TO-247
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STGW19NC60WD  单晶体管, IGBT, 42 A, 2.5 V, 125 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
19 A - 600 V - 非常快速的IGBT 19 A - 600 V - very fast IGBT
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