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STGW50NC60W 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STGW50NC60W 数据手册 (14 页)

封装尺寸在11 页 12 页

STGW50NC60W 数据手册 (14 页)

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STGW50NC60W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

285000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

285 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

285000 mW

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STGW50NC60W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGW50NC60W 符合标准

STGW50NC60W 海关信息

STGW50NC60W 概述

STGW50NC60W 数据手册

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14 页 / 0.28 MByte

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