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STN2NE06
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STN2NE06 数据手册 (8 页)
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STN2NE06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-3
极性
N-CH
功耗
2.5 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
2A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
310pF @25V(Vds)
下降时间
4.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2500 mW

STN2NE06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.8 mm

STN2NE06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.2 MByte

STN2 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STN2NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 100 V, 0.23 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast switching NPN power transistor
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.12ohm - 2A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.12ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.33Ω -2A - SOT- 223 N-channel 100V - 0.33з -2A - SOT-223
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.33欧姆 - 2A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
AUK Semiconductor(韩国光电子)
STN2907AS PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 250MHz 75 -400mV/-0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 WA 低集电极饱和电压/开关
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.1欧姆 - 2A SOT- 223 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.18ohm - 2A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.18ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
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