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STN2NE10L 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-261-4

描述:

N沟道100V - 0.33Ω -2A - SOT- 223 N-channel 100V - 0.33з -2A - SOT-223

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STN2NE10L 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STN2NE10L 数据手册 (12 页)

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STN2NE10L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

1.80 A

封装

TO-261-4

漏源极电阻

400 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.5W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.00 A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

345pF @25V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Tc)

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STN2NE10L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STN2NE10L 符合标准

STN2NE10L 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.25 MByte

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N - CHANNEL 100V - 0.33欧姆 - 2A - SOT- 223的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET

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