Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics(意法半导体) > STP30NE06 Datasheet 文档
STP30NE06
0
STP30NE06 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

STP30NE06 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
42 mΩ
极性
N-Channel
功耗
80 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
95 ns
下降时间
41 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

STP30NE06 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm

STP30NE06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
6 页 / 0.16 MByte

STP30 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP30N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.11ヘ - 25A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩ II功率MOSFET (具有快速二极管) N-channel 600V - 0.11ヘ - 25A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ II Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics(意法半导体)
MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道24V - 120A - TO- 220 / D2PAK的STripFET TM功率MOSFET N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V , 0.1 Ω , 25 A ,的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , TO- 247 , D2PAK , I2PAK N-channel 600 V, 0.1 Ω, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 60V - 0.042欧姆 - 30A - TO- 220 / TO- 220FP的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 60V - 0.042 ohm - 30A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z