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TC58BVG1S3HBAI6
1.939
TC58BVG1S3HBAI6 数据手册 (51 页)
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TC58BVG1S3HBAI6 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
67 Pin
封装
VFBGA-67
位数
8 Bit
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.6V

TC58BVG1S3HBAI6 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)

TC58BVG1S3HBAI6 数据手册

Toshiba(东芝)
51 页 / 1.18 MByte

TC58BVG1S3 数据手册

Toshiba(东芝)
NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Toshiba(东芝)
BENAND™ SLC NAND 闪存,内置 ECC,ToshibaBENAND™ 是 SLC (单层单元)NAND 闪存,内置 ECC(错误校正码)。### BENAND™ SLC NAND 闪存
Toshiba(东芝)
BENAND™ SLC NAND 闪存,内置 ECC,ToshibaBENAND™ 是 SLC (单层单元)NAND 闪存,内置 ECC(错误校正码)。### BENAND™ SLC NAND 闪存
Toshiba(东芝)
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