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VF20100C 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

描述:

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

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VISHAY（威世）

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

VISHAY（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.446 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

Vishay Semiconductor（威世）

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Vishay Semiconductor（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.446 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A

VISHAY（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Vishay Semiconductor（威世）

高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

Vishay Semiconductor（威世）

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

Vishay Semiconductor（威世）

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