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VSMY7850X01 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SMD

描述:

高功率红外发光二极管， 850纳米，表面发射器技术 High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

VSMY7850X01 数据手册

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VSMY7850X01 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

2 Pin

封装

SMD

峰值波长

850 nm

测试电流

1000 mA

正向电压(Max)

2.5 V

正向电流(Max)

1000 mA

工作温度(Max)

100 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

VSMY7850X01 符合标准

VSMY7850 数据手册

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VISHAY（威世）

高功率红外发光二极管， 850纳米，表面发射器技术 High Power Infrared Emitting Diode, 850 nm, Surface Emitter Technology

VSMY7850X01-GS08 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY VSMY7850X01-GS08 红外发光二极管, 850NM, SMD

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