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VI20120C-E3/4W 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

二极管阵列

封装:

TO-262-3

描述:

双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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VI20120C-E3/4W 数据手册 (5 页)

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VI20120C-E3/4W 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-262-3

正向电压

900mV @10A

正向电压(Max)

900mV @10A

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VI20120C-E3/4W 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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VI20120C-E3/4W 符合标准

VI20120C-E3/4W 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

5 页 / 0.15 MByte

VI20120C-E3/4W 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

6 页 / 0.15 MByte

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