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ZXMN10A08E6TC
0.263
ZXMN10A08E6TC 数据手册 (8 页)
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ZXMN10A08E6TC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
1.50 A
封装
SOT-23-6
通道数
1 Channel
漏源极电阻
250 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.1 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
1.90 A
上升时间
2.2 ns
输入电容值(Ciss)
405pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
1.1 W
下降时间
3.2 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1.1W (Ta)

ZXMN10A08E6TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
1.8 mm
高度
1.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

ZXMN10A08E6TC 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.21 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.46 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.17 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.24 MByte

ZXMN10A08E6 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
Diodes(美台)
ZXMN10A08E6TA 编带
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
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