器件3D模型

￥ 0.284

ZXMN10A08DN8TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ZXMN10A08 系列 N 沟道 100 V 0.25 Ohm 功率MOSFET 表面贴装 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZXMN10A08DN8TA 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

ZXMN10A08DN8TA 数据手册 (7 页)

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ZXMN10A08DN8TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

2.10 A

封装

SOIC-8

极性

N-CH

功耗

1.8 W

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

1.60 A

上升时间

2.2 ns

输入电容值(Ciss)

405pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1800 mW

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ZXMN10A08DN8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZXMN10A08DN8TA 符合标准

ZXMN10A08DN8TA 海关信息

ZXMN10A08DN8TA 概述

ZXMN10A08DN8TA 数据手册

Diodes（美台）

7 页 / 0.16 MByte

ZXMN10A08DN8TA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

293 页 / 0.91 MByte

ZXMN10A08DN8TA 产品描述及参数

Diodes（美台）

10 页 / 0.7 MByte

ZXMN10A08DN8TA 产品封装文件

Diodes（美台）

7 页 / 0.17 MByte

ZXMN10A08DN8TA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

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