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ZXMN10A09KTC
0.187
ZXMN10A09KTC 数据手册 (8 页)
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ZXMN10A09KTC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
7.70 A
封装
TO-252-3
漏源极电阻
100 mΩ
极性
N-Channel
功耗
10.1 W
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
7.70 A
上升时间
5.3 ns
输入电容值(Ciss)
1313pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
2.15 W
下降时间
12.3 ns
耗散功率(Max)
2.15W (Ta)

ZXMN10A09KTC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN10A09KTC 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.62 MByte
Diodes(美台)
183 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZXMN10A09 数据手册

Diodes(美台)
表面贴装型-N-通道-100V-5A(Ta)-2.15W(Ta)-TO-252-3
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,100V 至 650V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Vishay Semiconductor(威世)
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