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2SD315AI UL 产品设计参考手册 - Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

制造商:

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

封装:

Module

描述:

半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SD315AI UL 数据手册

2SD315AI UL 产品设计参考手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

32 页 / 0.84 MByte

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