AFT09MS031NR1 产品设计参考手册 - NXP（恩智浦）

射频FET晶体管, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270

晶体管, 射频FET, 40 V, 317 W, 764 MHz, 941 MHz, TO-270

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V