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IPB110N20N3LFATMA1 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0098 ohm, 10 V, 3.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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引脚图在P56P225P254Hot

典型应用电路图在P182P183P184P210P223P225P253

原理图在P6P8P16P20P33P34P39P40P41P44P45P47

封装尺寸在P215P253

型号编码规则在P85P131P142P146P158P183P184P185P191

功能描述在P20P93P94P96P98P100P104P111P114P138P151P182

技术参数、封装参数在P17P131P142

应用领域在P7P9P11P13P15P17P19P21P23P25P27P29

型号编号列表在P13P14P15P38P40P42P46P48P50P55P201P212

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IPB110N20N3LFATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.96 MByte

IPB110N20N3LFATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB110N20N3LFATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPB110N20N3LFATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB110N20N3 数据手册

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Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPB110N20N3LF TO-263-3

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Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 88 A, 200 V, 0.0098 ohm, 10 V, 3.2 V

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