￥ 0.291

IPD079N06L3 G 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD079N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

页面导航:

引脚图在P56P225P254Hot

典型应用电路图在P182P183P184P210P223P225P253

原理图在P6P8P16P20P33P34P39P40P41P44P45P47

封装尺寸在P215P253

型号编码规则在P85P131P142P146P158P183P184P185P191

功能描述在P20P93P94P96P98P100P104P111P114P138P151P182

技术参数、封装参数在P17P131P142

应用领域在P7P9P11P13P15P17P19P21P23P25P27P29

型号编号列表在P13P14P15P38P40P42P46P48P50P55P201P212

收起

查看文档

或点击图片查看大图

IPD079N06L3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.43 MByte

IPD079N06L3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD079N06L3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPD079N06L3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD079N06L3 数据手册

IPD079N06L3GBTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD079N06L3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V

IPD079N06L3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD079N06L3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V

IPD079N06L3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,7.9mΩ,50A,N沟道功率MOSFET

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv