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IPD60R180P7ATMA1 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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功能描述在P15P25

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IPD60R180P7ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 1.49 MByte

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.89 MByte

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

Infineon（英飞凌）

N沟道 600V 18A

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPD60R180P7S TO-252

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.145 ohm, 10 V, 3.5 V

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