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IPD60R750E6 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD60R750E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD60R750E6 数据手册

Infineon（英飞凌）

17 页 / 1.15 MByte

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

Infineon（英飞凌）

17 页 / 1.99 MByte

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD60R750E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R750E6BTMA1, 5.7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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