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IPG20N06S2L35AATMA1 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

晶体管

封装:

PG-TDSON-8-10

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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典型应用电路图在P47P63

原理图在P35P39P43P47P56P71P72P79P81P96P102P113

封装尺寸在P134P135

型号编码规则在P8P9P24P28P115

封装信息在P9

功能描述在P28P30P34P37P38P44P56P57P58P59P60P61

应用领域在P28P38P42P55P61P69P71P72P73P74P89P92

电气规格在P44

型号编号列表在P9P49P50P51P52P121P122P123P124P125P126P127

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IPG20N06S2L35AATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.19 MByte

IPG20N06S2L35AATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPG20N06S2L35AATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPG20N06S2L35AATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPG20N06S2L35 数据手册

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INFINEON IPG20N06S2L-35 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V

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INFINEON IPG20N06S2L35ATMA1 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V

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场效应管(MOSFET) IPG20N06S2L-35A TDSON-8

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