器件3D模型

￥ 0.274

IRL6372TRPBF 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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引脚图在P56P225P254Hot

典型应用电路图在P182P183P184P210P223P225P253

原理图在P6P8P16P20P33P34P39P40P41P44P45P47

封装尺寸在P215P253

型号编码规则在P85P131P142P146P158P183P184P185P191

功能描述在P20P93P94P96P98P100P104P111P114P138P151P182

技术参数、封装参数在P17P131P142

应用领域在P7P9P11P13P15P17P19P21P23P25P27P29

型号编号列表在P13P14P15P38P40P42P46P48P50P55P201P212

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IRL6372TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.26 MByte

IRL6372TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRL6372TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRL6372TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRL6372TRPBF 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

IRL6372TRPBF 产品封装文件

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5 页 / 0.32 MByte

IRL6372TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.14 MByte

IRL6372 数据手册

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INFINEON IRL6372PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8.1 A, 30 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 1.1 V

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