L6395DTR 产品设计参考手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

FET驱动器

封装:

SO-8

描述:

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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功能描述在P48P65

应用领域在P4P5P29P30P31P32P33P34P35P36P37P38

型号编号列表在P28

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L6395DTR 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.44 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

68 页 / 3.38 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

198 页 / 1.42 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS L6395D 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 125ns延迟, SOIC-8

ST Microelectronics（意法半导体）

半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mA

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