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PTF080101S V1 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

晶体管

封装:

H-32259-2

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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PTF080101S V1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.16 MByte

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.03 MByte

Infineon（英飞凌）

LDMOS射频功率场效应晶体管10W ， 860-960MHZ LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ

Infineon（英飞凌）

热增强型高功率射频LDMOS FET 10 W， 860 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz

Infineon（英飞凌）

Infineon（英飞凌）

Infineon（英飞凌）

高功率射频LDMOS场效应晶体管10 W， 450 - 960兆赫 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 – 960 MHz

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