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Datasheet 搜索 > 电压基准芯片 > ON Semiconductor(安森美) > REF3012TB-GT3 数据手册 > REF3012TB-GT3 产品设计参考手册 1/16 页
REF3012TB-GT3
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REF3012TB-GT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.25 MByte
ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 0.68 MByte

REF3012 数据手册

TI(德州仪器)
采用 SOT23-3 封装的 1.25V 输出 50ppm/℃ 漂移 50uA 静态电流的(带隙)电压参考系列
TI(德州仪器)
1.25V,50℃,50ASOT23-3封装电压基准
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3012AIDBZT  电压基准, 精密, 低功率, 系列 - 固定, REF3012系列, 1.25V, SOT-23-3
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3012AIDBZTG4  电压基准, 精密, 低功率, 系列 - 固定, REF3012系列, 1.25V, SOT-23-3
TI(德州仪器)
参考电压 1.25V 50ppm/DegC 50uA SOT23-3 Series
ON Semiconductor(安森美)
0.6V 至 4.096V,ON Semiconductor### 电压参考,ON Semiconductor
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