￥ 1.352

SPA11N65C3 产品设计参考手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

INFINEON SPA11N65C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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引脚图在P56P225P254Hot

典型应用电路图在P182P183P184P210P223P225P253

原理图在P6P8P16P20P33P34P39P40P41P44P45P47

封装尺寸在P215P253

型号编码规则在P85P131P142P146P158P183P184P185P191

功能描述在P20P93P94P96P98P100P104P111P114P138P151P182

技术参数、封装参数在P17P131P142

应用领域在P7P9P11P13P15P17P19P21P23P25P27P29

型号编号列表在P13P14P15P38P40P42P46P48P50P55P201P212

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SPA11N65C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.58 MByte

SPA11N65C3 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

SPA11N65C3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

38 页 / 0.73 MByte

SPA11N65C3 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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SPA11N65C3 数据手册

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INFINEON SPA11N65C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

SPA11N65C3XKSA1 数据手册

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INFINEON SPA11N65C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V

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