SST3S-M30 产品设计参考手册 - Panduit（泛达）

NPN 小信号晶体管，Rohm### 双极晶体管，ROHM Semiconductor

MICROCHIP  SST39VF040-70-4I-NHE  闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚

MICROCHIP  SST39VF040-70-4C-NHE.  闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 1 kHz, LCC, 32 引脚

MICROCHIP  SST39VF6401B-70-4C-EKE  闪存, 64 Mbit, 4M x 16位, 并行, TSOP, 48 引脚

MICROCHIP  SST39VF040-70-4I-WHE  闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, TSOP, 32 引脚

MICROCHIP  SST39VF1601C-70-4I-EKE  闪存, 16 Mbit, 1M x 16位, 5 MHz, 并行, TSOP, 48 引脚

MICROCHIP  SST39VF800A-70-4C-EKE  闪存, 8 Mbit, 512K x 16位, 14 MHz, 并行, TSOP, 48 引脚

MICROCHIP  SST39SF040-70-4C-NHE  闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚

SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip