STPSC10H065DI 产品设计参考手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

650 V功率肖特基碳化硅二极管 650 V power Schottky silicon carbide diode

STMICROELECTRONICS  STPSC10H065D  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC

STMICROELECTRONICS  STPSC10H065DY  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC

肖特基整流器, 650 V, 10 A, 单, TO-220AC, 2 引脚, 1.75 V

STMICROELECTRONICS  STPSC10H065B-TR  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-252

STMICROELECTRONICS  STPSC10H065G-TR  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-263

SiC) 肖特基二极管，STMicroelectronics碳化硅 (SiC) 二极管是超高性能功率肖特基二极管。 关闭时不显示恢复，且圆环图案可忽略。 最小电容性关闭行为与温度无关。### 二极管和整流器，STMicroelectronics

二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-252