器件3D模型

￥ 0.894

AUIRS2127STR 开发手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

SOIC-8

描述:

高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

Pictures:

3D模型

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原理图在P3P17

功能描述在P29

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AUIRS2127STR 数据手册

Infineon（英飞凌）

24 页 / 1.09 MByte

AUIRS2127STR 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

AUIRS2127STR 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

AUIRS2127STR 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

AUIRS2127STR 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

AUIRS2127 数据手册

AUIRS21271STR 数据手册

Infineon（英飞凌）

MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10V至20V电源, 290mA输出, 175ns延迟, SOIC-8

AUIRS2127STR 数据手册

Infineon（英飞凌）

高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

AUIRS21271S 数据手册

Infineon（英飞凌）

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

AUIRS21271S 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，单通道，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

AUIRS2127S 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON AUIRS2127S 芯片, 驱动器, 1通道, 8SOIC

AUIRS21271STR 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

AUIRS2127S 数据手册

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