器件3D模型

￥ 0.894

AUIRS2127STR 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

SOIC-8

描述:

高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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AUIRS2127STR 数据手册 (24 页)

封装尺寸在19 页

典型应用电路图在1 页 8 页 9 页

原理图在7 页

AUIRS2127STR 数据手册 (24 页)

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AUIRS2127STR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

80ns, 40ns

输出电流

290 mA

电源电压

12V ~ 20V

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AUIRS2127STR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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AUIRS2127STR 符合标准

AUIRS2127STR 概述

AUIRS2127STR 数据手册

Infineon（英飞凌）

24 页 / 1.09 MByte

AUIRS2127STR 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

AUIRS2127STR 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

AUIRS2127STR 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

AUIRS2127STR 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.32 MByte

AUIRS2127 数据手册

AUIRS21271STR 数据手册

Infineon（英飞凌）

MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 10V至20V电源, 290mA输出, 175ns延迟, SOIC-8

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Infineon（英飞凌）

高边 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:600mA

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MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，单通道，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

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INFINEON AUIRS2127S 芯片, 驱动器, 1通道, 8SOIC

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