￥ 223.067

2SD315AI-33 数据手册 - Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

制造商:

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

封装:

Module

描述:

半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SD315AI-33 数据手册 (15 页)

2SD315AI-33 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

Module

电源电压

15 V

查看数据手册 >

2SD315AI-33 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-40℃ ~ 85℃ (TA)

查看数据手册 >

2SD315AI-33 符合标准

2SD315AI-33 概述

2SD315AI-33 数据手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

15 页 / 0.48 MByte

2SD315AI-33 产品设计参考手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

32 页 / 0.84 MByte

2SD315AI-33 其他数据使用手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

4 页 / 0.24 MByte

2SD315 数据手册

ETC

2SD315AI 数据手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

电源管理模块 2-Ch SCALE-1 Driver IGBT Driver HVIC

2SD315AI-33 数据手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A

2SD315AI 数据手册

CT Concept

CT-概念刻度芯片组驱动器芯线是配备驱动器所有基本功能的模块，如电气分离、保护功能、直流/直流转换器等它们安装在电路板，包含所有需要的附加组件，以匹配特定 IGBT 或应用的驱动器，例如输入接口、门电阻器、有源钳位等 ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，CT-Concept

2SD315AI UL 数据手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

半桥 IGBT MOSFET 灌:18A 拉:18A

2SD315AI-25 数据手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

电源管理模块 2-Ch SCALE-1 Driver IGBT Driver HVIC

2SD315AI 数据手册

Concept

2SD315AI2 数据手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

2SD315AI1-25 数据手册

Power Integrations（帕沃英蒂格盛）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号