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FCMT125N65S3 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

PQFN

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.1 ohm, 10 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FCMT125N65S3 数据手册

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FCMT125N65S3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

PQFN

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.1 Ω

功耗

181 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

22 ns

输入电容值(Ciss)

1920pF @400V(Vds)

下降时间

5.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

181000 mW

FCMT125N65S3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

FCMT125N65S3 符合标准

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ON Semiconductor（安森美）

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晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.1 ohm, 10 V, 4.5 V

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