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SSN1N45BTA
0.431
SSN1N45BTA 数据手册 (8 页)
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SSN1N45BTA 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3.4 Ω
功耗
0.9 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
450 V
上升时间
21 ns
输入电容值(Ciss)
185pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
36 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
900 mW

SSN1N45BTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

SSN1N45BTA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.69 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.85 MByte

SSN1N45 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SSN1N45BTA  晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 450V 500mA
Fairchild(飞兆/仙童)
450V N沟道MOSFET 450V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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