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IGT60R190D1SATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

HSOF

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 600 V, 0.14 ohm, 1.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

IGT60R190D1SATMA1 数据手册

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IGT60R190D1SATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

9 Pin

封装

HSOF

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.14 Ω

功耗

55.5 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

600 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

55500 mW

IGT60R190D1SATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

IGT60R190D1SATMA1 符合标准

IGT60R190D1SATMA1 概述

IGT60R190D1SATMA1 数据手册

IGT60R190D1SATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

24 页 / 9.64 MByte

IGT60R190D1SATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IGT60R190D1 数据手册

IGT60R190D1SATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 600 V, 0.14 ohm, 1.2 V

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