器件3D模型

￥ 0.691

FDS8672S 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8672S 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDS8672S 数据手册 (7 页)

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FDS8672S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0038 Ω

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

18A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

2670pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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FDS8672S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDS8672S 符合标准

FDS8672S 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.3 MByte

FDS8672S 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.24 MByte

FDS8672S 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.21 MByte

FDS8672 数据手册

FDS8672S 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8672S 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V

FDS8672S 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V

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