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IPP60R125P6 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

场效应管(MOSFET) IPP60R125P6 TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPP60R125P6 数据手册 (19 页)

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IPP60R125P6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

113 mΩ

极性

N-CH

功耗

219 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

30A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

2660pF @100V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

219000 mW

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IPP60R125P6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.4 mm

高度

15.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPP60R125P6 符合标准

IPP60R125P6 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 2.63 MByte

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270 页 / 11.59 MByte

IPP60R125P6 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

42 页 / 1.35 MByte

IPP60R125P6 开发手册

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37 页 / 2.01 MByte

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