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IPP65R420CFD
1.143
IPP65R420CFD 数据手册 (21 页)
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IPP65R420CFD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
650 V
连续漏极电流(Ids)
8.7A
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
870pF @100V(Vds)
额定功率(Max)
83.3 W
下降时间
8 ns

IPP65R420CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
高度
15.65 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPP65R420CFD 数据手册

Infineon(英飞凌)
21 页 / 4.47 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPP65R420 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
650V的CoolMOS C6 CFD功率晶体管 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor
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