器件3D模型

￥ 1.958

IRS21850SPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-8

描述:

INFINEON IRS21850SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 160ns延迟, SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRS21850SPBF 数据手册 (20 页)

封装尺寸在17 页 18 页

典型应用电路图在1 页 8 页

原理图在7 页

IRS21850SPBF 数据手册 (20 页)

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IRS21850SPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

电源电压

10.0V (min)

封装

SOIC-8

额定功率

625 mW

上升/下降时间

15 ns

输出接口数

1 Output

输出电压

600 V

输出电流

4 A

通道数

1 Channel

针脚数

8 Position

功耗

1250 mW

下降时间(Max)

40 ns

上升时间(Max)

40 ns

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1250 mW

电源电压

10V ~ 20V

电源电压(Max)

20 V

电源电压(Min)

10 V

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IRS21850SPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Each

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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IRS21850SPBF 符合标准

IRS21850SPBF 概述

IRS21850SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

20 页 / 0.33 MByte

IRS21850SPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 7.29 MByte

IRS21850SPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IRS21850SPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.41 MByte

IRS21850SPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

15 页 / 0.14 MByte

IRS21850 数据手册

IRS21850SPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRS21850SPBF 门驱动器, IGBT/MOSFET, 高压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 160ns延迟, SOIC-8

IRS21850STRPBF 数据手册

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