￥ 0.391

ZVNL120A 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

TO-92-3

描述:

DIODES INC. ZVNL120A 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 200 V, 10 ohm, 5 V, 1.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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ZVNL120A 数据手册 (3 页)

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ZVNL120A 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

180 mA

封装

TO-92-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

10 Ω

极性

N-Channel

功耗

700 mW

阈值电压

1.5 V

输入电容

7.00 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

180 mA

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

85pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 mW

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700mW (Ta)

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ZVNL120A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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ZVNL120A 符合标准

ZVNL120A 海关信息

ZVNL120A 概述

ZVNL120A 数据手册

Diodes（美台）

3 页 / 0.05 MByte

ZVNL120A 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZVNL120A 产品设计图

Diodes（美台）

1 页 / 0.08 MByte

ZVNL120A 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

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