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SI2303DS
0.056
SI2303DS 数据手册 (5 页)
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SI2303DS 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-236
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
1.7A

SI2303DS 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.07 MByte
VISHAY(威世)
4 页 / 0.05 MByte

SI2303 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Micro Commercial Components(美微科)
SI2303-TP 编带
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2303CDS-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7A
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI2303BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.49 A, -30 V, 0.15 ohm, -10 V, -3 V
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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