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SI3458DV
0.12
SI3458DV 数据手册 (4 页)
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SI3458DV 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TSOP
漏源极电阻
100 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.00 W
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.20 A

SI3458DV 数据手册

VISHAY(威世)
4 页 / 0.05 MByte

SI3458 数据手册

VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3458BDV-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2A, 60V, 2W
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI3458BDV-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 4.1A, TSOP
VISHAY(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
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