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SI4401DY
器件3D模型
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SI4401DY 数据手册 (4 页)
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SI4401DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8
漏源极电阻
15.5 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.50 W
栅源击穿电压
±20.0 V

SI4401DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm

SI4401DY 数据手册

Vishay Siliconix
4 页 / 0.04 MByte
Vishay Siliconix
5 页 / 0.06 MByte

SI4401 数据手册

VISHAY(威世)
-40V,-16.1A,P沟道MOSFET
VISHAY(威世)
单 P 沟道 40 V 0.014 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
VISHAY(威世)
SI4401BDY-T1-GE3 编带
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4401DDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -16.1 A, -40 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1.2 V
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4401DY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -10.5 A, -40 V, 0.013 ohm, -10 V, -1 V
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