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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SI3442CDV-T1-GE3 Datasheet 文档
SI3442CDV-T1-GE3
器件3D模型
0.116

SI3442CDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
TSOP-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.0225 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.7 W
阈值电压
600 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
8A
输入电容值(Ciss)
335pF @10V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.7 W

SI3442CDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
1.7 mm
高度
1 mm
最小包装数量
3000

SI3442CDV-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
11 页 / 0.22 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.2 MByte

SI3442CDVT1 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor
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