器件3D模型

￥ 0.162

SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOP-6

描述:

VISHAY SI3456DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 1.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)

封装尺寸在7 页

SI3456DDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)

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SI3456DDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOP-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

N-Channel

功耗

1.7 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

13 ns

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI3456DDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI3456DDV-T1-GE3 符合标准

SI3456DDV-T1-GE3 海关信息

SI3456DDV-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

11 页 / 0.19 MByte

SI3456DDV-T1-GE3 其他数据使用手册

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