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ZXTN2010ASTZ
0.433
ZXTN2010ASTZ 数据手册 (6 页)
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ZXTN2010ASTZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-226-3
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
最小电流放大倍数
100 @2A, 1V
额定功率(Max)
1 W

ZXTN2010ASTZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXTN2010ASTZ 数据手册

Diodes Zetex(捷特科)
6 页 / 0.11 MByte
Diodes Zetex(捷特科)
183 页 / 0.63 MByte

ZXTN2010 数据手册

Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZXTN2010GTA  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.6 W, 6 A, 200 hFE
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V NPN Low Sat
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
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