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SI1303DL-T1-GE3
器件3D模型
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SI1303DL-T1-GE3 数据手册 (5 页)
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SI1303DL-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SC-70-3
极性
P-Channel
功耗
290mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
-720 mA
耗散功率(Max)
290mW (Ta)

SI1303DL-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI1303DL-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
5 页 / 0.1 MByte

SI1303DLT1 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI1303DL-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -670 mA, -20 V, 0.36 ohm, -4.5 V, -1.4 V
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
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