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SI1023X-T1-E3
器件3D模型
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SI1023X-T1-E3 数据手册 (7 页)
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SI1023X-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
SC-89-6
漏源极电阻
2.70 Ω
极性
Dual P-Channel
功耗
250 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
-20.0 V
栅源击穿电压
±6.00 V
连续漏极电流(Ids)
-350 mA
额定功率(Max)
250 mW

SI1023X-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI1023X-T1-E3 数据手册

VISHAY(威世)
7 页 / 0.13 MByte
VISHAY(威世)
5 页 / 0.1 MByte

SI1023XT1 数据手册

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双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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